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日本filmetrics顯微自動膜厚測量系統

產品時間:2025-05-14

訪問次數:984

簡要描述:

日本filmetrics顯微自動膜厚測量系統F54
F54顯微自動膜厚測量系統是將微小區域內的高精度膜厚/光學常數分析功能與自動高速載物臺相結合的系統。兼容 2 英寸到 450 毫米的硅基板,它可以以的速度在點測量薄膜厚度和折射率。

日本filmetrics顯微自動膜厚測量系統F54

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F54顯微自動膜厚測量系統是將微小區域內的高精度膜厚/光學常數分析功能與自動高速載物臺相結合的系統。兼容 2 英寸到 450 毫米的硅基板,它可以以的速度在點測量薄膜厚度和折射率。
兼容5x至50x物鏡,測量光斑直徑可根據應用選擇1μm至100μm。

主要應用

半導體平板

抗蝕劑、氧化膜、氮化膜、非晶/多晶硅、拋光硅片、化合物半導體、?T襯底等。
有機膜、聚酰亞胺、ITO、單元間隙等

產品陣容

模型

F54-UV

F54

F54-近紅外

F54-EXR

F54-UVX

測量波長范圍

膜厚測量范圍

5倍

10倍

15倍

50倍

100倍

性*






190 – 1100nm

400 – 850nm

950 – 1700nm

400 – 1700nm

190 – 1700nm

————

20nm-40μm

40nm – 120μm

20nm – 120μm

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20nm – 35μm

40nm – 70μm

20nm – 70μm

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4nm – 30μm

20nm-40μm

40nm – 100μm

20nm – 100μm

4nm – 100μm

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20nm – 2μm

40nm – 4μm

20nm – 4μm

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20nm – 1.5μm

40nm – 3μm

20nm – 3μm

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± 0.2% 薄膜厚度

± 0.4% 薄膜厚度

± 0.2% 薄膜厚度

1納米

2納米

3納米

2納米

1納米

測量示例

可以測量硅晶片上的氧化膜和抗蝕劑。




 

主要特點

 

  • 結合基于光學干涉原理的膜厚測量功能和自動高速載物臺的系統

  • 兼容5x到50x物鏡,測量光斑直徑可根據應用從1μm到100μm變化。

  • 兼容 2 英寸至 450 毫米的硅基板

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